产品技术参数
| Attribute | Value |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散 | 208 W |
| 典型接通延迟时间 | 120 ns |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 3000 pF@ 25 V |
| 长度 | 8.64mm |
| 尺寸 | 8.64 x 10.26 x 4.4mm |
| 典型关断延迟时间 | 140 ns |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 10.26mm |
| 高度 | 4.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 79 nC @ 10 V |
客服林先生